复旦大学的团队研发了一种新的二维非易失性存储芯片，使用半导体结构研发的存储芯片在性能上更优秀。具体来说，与DRAM内存相比，它的数据刷新时间是前者的156倍，也就是能保存更长时间的数据，同时具备纳秒（ns）级的写入速度（NAND闪存的延迟一般在毫秒级），与传统二维材料相比其速度快了100万倍。
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中国研发性能快100万倍存储芯片 中国研发性能快100万倍存储芯片
复旦大学的团队研发了一种新的二维非易失性存储芯片，使用半导体结构研发的存储芯片在性能上更优秀。具体来说，与DRAM内存相比，它的数据刷新时间是前者的156倍，也就是能保存更长时间的数据，同时具备纳秒（ns）级的写入速度（NAND闪存的延迟一般在毫秒级），与传统二维材料相比其速度快了100万倍。 打赏
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